金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究
作者:
作者单位:

1.中电科芯片技术(集团)有限公司,重庆 400060 ;2.厦门云天半导体科技有限公司,福建 厦门 361026

作者简介:

金中(1981-)男,北京市人,硕士,高级工程师。通信作者:阮文彪(1979-),男,江西省新干县人,博士,高级工程师。

通讯作者:

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Research on Au-Sn Bonding for Wafer-Level Packaging of FBAR Filters
Author:
Ethical statement:

Affiliation:

1.CETC Chips Technology Inc, Chongqing 400060 , China ;2.Xiamen Sky Semiconductor Technology Co.Ltd., Xiamen 361026 , China

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    摘要:

    薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。

    Abstract:

    As a passive, small-sized, and high-power-tolerant device, the film bulk acoustic resonator (FBAR)has been widely used in radio frequency signal processing.Wafer-level hermetic packaging represents miniaturizedpackaging and plays a critical role in various high-reliability applications.Both gold-gold and gold-tin bonding arewidely used in FBAR hermetic wafer-level packaging.However, gold-tin bonding has a more straight forward implementationprocess.Therefore, this study investigates the application of gold-tin bonding in hermetic wafer-levelpackaging.Under the condition of ensuring bonding strength, 3 GHz filter samples were produced.The experimentalresults demonstrated identical perfomances with all samples passing the reliability tests

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

金中,张基钦,吕峻豪,阮文彪,刘娅,甑静怡,孙明宝,孙彦红.金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究[J].压电与声光,2024,46(3):339-342. JIN Zhong, ZHANG Jiqin, LYU Junhao, RUAN Wenbiao, LIU Ya, ZENG Jingyi, SUN Mingbao, SUN Yanhong. Research on Au-Sn Bonding for Wafer-Level Packaging of FBAR Filters[J]. PIEZOELECTRICS AND ACOUSTOOPTICS

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  • 收稿日期:2023-01-12
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  • 在线发布日期: 2024-06-25
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